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该文分析研究了硅单晶片新生晶面的电荷性质、化学吸附转化为物理吸附、有害吸附转化为无害吸附；减少亚损伤。
硅单晶片抛光镜面表面状态的分析研究
【摘 要】
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该文分析研究了硅单晶片新生晶面的电荷性质、化学吸附转化为物理吸附、有害吸附转化为无害吸附；减少亚损伤。
【机 构】
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华晶电子集团公司
【出 处】
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第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议
【发表日期】
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1995年期
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