【摘 要】
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针对霍尔元件响应迅速而灵敏度较低的特点,结合目前工程应用中广泛使用的采样保持及AD转换的数据处理方式,讨论了采用脉冲方式驱动霍尔元件,在峰值电压时取样的方式增加霍尔
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京 100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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针对霍尔元件响应迅速而灵敏度较低的特点,结合目前工程应用中广泛使用的采样保持及AD转换的数据处理方式,讨论了采用脉冲方式驱动霍尔元件,在峰值电压时取样的方式增加霍尔元件磁灵敏度的可行性。分别从热功耗限制和强场效应两方面进行考察。从理论上分析了脉冲驱动时霍尔元件的温升情况,给出了脉冲与直流供电的温升等效关系。实验结果表明,强电场效应是影响目前常见的霍尔元件脉冲驱动性能的主要限制条件。
在管芯尺寸为490×490μm的霍尔器件上,当输入峰值电压达到24V时,由于热电子引起的电子迁移率下降将影响到霍尔输出的继续增大。在强电场效应的限制下。热功耗基本不构成对霍尔元件应用的限制。可通过增加管芯尺寸以降低有源区场强来克服强电场效应带来的限制。
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