【摘 要】
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随着半导体器件集成度的提高,现有的非易失性(nonvolatile)浮栅闪存(floating gate flash memory)面临着浮栅之间的耦合效应增强、电荷泄露、阈值不稳定及保持力(retention)
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京100190中国科学院微电子研究所,北京100190
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随着半导体器件集成度的提高,现有的非易失性(nonvolatile)浮栅闪存(floating gate flash memory)面临着浮栅之间的耦合效应增强、电荷泄露、阈值不稳定及保持力(retention)下降等问题.新一代电荷俘获存储器(charge trapping memory,CTM)采用富含缺陷的高κ介质作为电荷俘获层替代浮栅,避免了耦合效应,减小了电荷泄露,提高了保持力.电荷在俘获层中的分布情况及电荷俘获过程中的物理机制是目前在高k电荷俘获存储器的研究中亟需研究清楚的两个问题.虽然目前对于这两个问题的研究已有很多工作被报道,但是仍然缺乏一些直观的认识.本研究利用原位电子全息技术及原位电子能量损失谱和能量过滤像等方法,直接观测到了编程过程中电荷的分布情况及俘获层HfO2中氧含量的变化情况.
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