掺杂对CdS多晶薄膜电学性能影响

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq02040610
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利用近空间升华法制备CdS多晶薄膜,同时将薄膜在400℃进行Cl-掺杂。利用光-电阻、暗电阻-温度关系等测试手段分析不同波长光照及温度对掺杂前后薄膜电学性能的影响。结果显示:在不同波长的光照下,薄膜显示出不同的电阻值,最小电阻出现在500 nm波长光附近;在光、暗态转换过程中发现,掺杂对电阻弛豫时间影响较大,掺杂后最短响应时间由原来对应的青光向蓝光移动;掺杂后,薄膜光、暗电导增加,电导激活能(Ea)减少。
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