【摘 要】
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采用第一性原理方法，对无缺陷的CuInSe2(CIS)材料的(112)表面进行了研究。与体材料相比，表面原子发生了重构，导致了原子间成键情况的变化。Cu原子的位置下降使得Cu-Se键长变短，Cu原子的p轨道与Se原子的d轨道的排斥作用增强，带来了价带顶上升，禁带宽度减小。In原子的位置变化也使得In-Se问的成键发生改变。由于在CIS薄膜中存在大量的晶界，因此表面重构引起的禁带宽度的减小能够扩展C
【机 构】
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东南大学电子科学与工程学院,南京 210096
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采用第一性原理方法，对无缺陷的CuInSe2(CIS)材料的(112)表面进行了研究。与体材料相比，表面原子发生了重构，导致了原子间成键情况的变化。Cu原子的位置下降使得Cu-Se键长变短，Cu原子的p轨道与Se原子的d轨道的排斥作用增强，带来了价带顶上升，禁带宽度减小。In原子的位置变化也使得In-Se问的成键发生改变。由于在CIS薄膜中存在大量的晶界，因此表面重构引起的禁带宽度的减小能够扩展CIS薄膜电池的吸收光谱，这可能为多晶CIS薄膜太阳能电池的转换效率高于单晶电池的现象提供一个新的解释。
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