【摘 要】
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研究了在沉积肖特基金属之前,氟基等离子体处理n 型掺杂的Al0.45Ga0.55N的表面对该肖特基接触反向漏电的影响.并且研究了氟基等离子处理后将样品400℃氮气气氛下退火十分
【机 构】
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北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室 北京 100871
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研究了在沉积肖特基金属之前,氟基等离子体处理n 型掺杂的Al0.45Ga0.55N的表面对该肖特基接触反向漏电的影响.并且研究了氟基等离子处理后将样品400℃氮气气氛下退火十分钟对反向漏电的影响.结果发现与未做氟基等离子体处理的样品相比,经过处理的Al0.45Ga0.55N 肖特基二极管在反向-10V 的漏电流密度要小三个数量级,而退火的样品在此基础上又减小了一个量级.本文对该样品进行了C-V 特性的分析和XPS 分析,X 射线光电子谱分析和C-V 证明了处理过的样品表面Ga-F 和Al-F 键的形成.反向漏电的减少可能是由氟基等离子体处理耗尽了电子和有效钝化了表面态导致的.而退火则使F 离子扩散进入了AlGaN 材料体内,因为F 基等离子体是极强的负电中心,所以造成了漏电流的进一步减小.
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