【摘 要】
：
本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入
【机 构】
：
北京有色金属研究总院,北京,100088
【出 处】
：
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入使生长态的LT-SiGe发生了部分应变弛豫.热处理使LT-SiGe表层发生氧化和Ge原子的扩散,并导致经750℃ 5分钟热处理的LT-SiGe样品的高分辨X射线衍射峰发生异常移动.低温SiGe层将位错限制在SiGe层下界面附近,从而降低了SiGe层中的穿透位错密度.
其他文献
本文中,利用二维器件仿真软件Medici建立4H-SiC双极晶体管模型,并在此基础上,对4H-SiC TBS结构双极晶体管进行了模拟研究,结果显示共射极最大电流增益为47,击穿电压大于1000V
离子注入技术是一种重要的制备低微量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序量子点.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底
利用1995～2005年300多幅ERS-1/2,Radarsat-1,ENVISAT、SPOT、Landsat、IRS和NOAA AVHRR图像统计了南海北部海洋内波的时间分布特征,并绘制了内波空间分布图,利用KdV方程和Levi
中国银行云南省分行与昆明滇池投资有限责任公司日前签署合作协议,将提供40亿元贷款授信,用于支持滇池环湖南岸截污工程及滇池外海环湖生态湿地等项目建设。云南省委常委、昆
日前,黄石市邮政速递物流公司与中国平安财产保险股份有限公司黄石中心支公司签订合作协议。根据协议规定,黄石市邮政速递物流公司全面负责平安保险公司在黄石市区以及大冶市
本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiG
本文报导了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL).激光器的有源区基于三阱耦合垂直跃迁光发射结构,并通过降低有源区内调制掺杂浓度以降低激光器
“现代数字信号处理”是中国地质大学(北京)信息与通信工程、电子与通信工程专业研究生的必修学位课。这门课比较抽象而且数学要求很高。针对这门课程难度大、学生难以接受的
本文通过改进热光开关单元和全内反射镜,设计和制作了基于SOI材料的8×8阻塞型热光开关矩阵.开关设计中,在单模波导和多模干涉耦合器之间引入楔形连接波导并进行优化,增大单
本文采用化学溶液沉积法分别在LaNiO3(LNO)/Si和石英衬底上制备了Bi3.25In0.75Ti2.97M0.03O12(M=Ti,Al,Co,In,Zn)(BITM)铁电薄膜.分别用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、