【摘 要】
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本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京,100088
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入使生长态的LT-SiGe发生了部分应变弛豫.热处理使LT-SiGe表层发生氧化和Ge原子的扩散,并导致经750℃ 5分钟热处理的LT-SiGe样品的高分辨X射线衍射峰发生异常移动.低温SiGe层将位错限制在SiGe层下界面附近,从而降低了SiGe层中的穿透位错密度.
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