【摘 要】
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采用国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,用量子阱垒层生长条件生长硅掺杂GaN(nGaN)单层材料并研究了其表面形貌和电学性质.通过改变Si源的流量,得到了载流子浓度从-5×1
【机 构】
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理想能源设备(上海)有限公司,上海201210
【出 处】
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第十四届全国LED产业发展与技术研讨会
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采用国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,用量子阱垒层生长条件生长硅掺杂GaN(nGaN)单层材料并研究了其表面形貌和电学性质.通过改变Si源的流量,得到了载流子浓度从-5×16到-3× 18cm-3的nGaN样品.与高温GaN比较,两者的载流子浓度和Si/Ⅲ都成线性关系,但是斜率不同.对低温样品进行了原子力显微镜表面形貌分析,二次离子质谱分析,常温及低温霍尔测量.实验结果表明,随着Si掺杂浓度的提高,样品表面的位错坑密度增加,样品的晶体质量下降.在-5×16cm-3的载流子浓度下,样品的常温霍尔迁移率达到1040cm2/Vs.分析结果表明,较低的位错密度是样品高迁移率的主要原因.
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