氮化镓基材料相关论文
基于氮化镓(GaN)材料的激光器、紫外探测器及HEMT器件都是当今世界的研究热点,而高质量的GaN材料生长技术、优化的器件工艺和器件......
为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划("863"计划)的支持下,研制一......
第三代半导体氮化镓化合物半导体已成为蓝光发光二极管的主流材料,国际上的产业化已成规模,国内也有多家处于中试阶段,由于氮化镓......
由于AlGaN/GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）具有优异的功率特性和频率特性，因此成为国内外的研究热点。而刻蚀技术是AlGaN/GaN结构电子......
GaN基材料具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度大、导热性能好等优良特性，因而利用AlGaN/GaN异质结制作的HEMT(高电子迁......
第三代半导体GaN基电子材料和器件研究向高频和大功率方向得到了很大发展。常规AlGaN/GaN异质结电子材料要实现大电流，高功率和高频......
石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为......
GaN基材料是当前发展高温、高频和大功率应用电子器件的重要材料，AlGaN/GaN异质结器件及其制备技术引起了人们极大的兴趣。本文重点......
