【摘 要】
：
研究了(FeCo)CuNbSib(x=0、50)纳米晶软磁合金的高频磁特性.结果表明,用Co部分置换Fe后,仍可形成纳米晶结构,并且可以显著提高合金的高频特性.与典型的FeCuNbSiB纳米晶软磁合金相比,其复数磁导率实部μ略有下降,但表征损耗的复数磁导率虚部μ"却大幅度降低,从而可显著提高软磁材料的截止使用频率f及品质因数Q,本文初步探讨了在FeCuNbSiB合金基础上,用Co置换Fe而使高频特
【机 构】
：
天津理工学院材料物理研究所(天津) 天津大学理学院(天津)
【出 处】
：
第五届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
研究了(Fe<,100-x>Co<,x>)<,73.5>Cu<,1>Nb<,3>Si<,13.5>b<,9>(x=0、50)纳米晶软磁合金的高频磁特性.结果表明,用Co部分置换Fe后,仍可形成纳米晶结构,并且可以显著提高合金的高频特性.与典型的Fe<,73.5>Cu<,1>Nb<,3>Si<,13.5>B<,9>纳米晶软磁合金相比,其复数磁导率实部μ略有下降,但表征损耗的复数磁导率虚部μ"却大幅度降低,从而可显著提高软磁材料的截止使用频率f<,r>及品质因数Q,本文初步探讨了在Fe<,73.5>Cu<,1>Nb<,3>Si<,13.5>B<,9>合金基础上,用Co置换Fe而使高频特性得到改善的机理.
其他文献
研究了MnO助烧剂对Ba(MgNb)O陶瓷的微观结构和微波介电性能.MnO可以有效地使Ba(MgNb)O陶瓷的致密化温度由1550℃降低到1400℃左右.随MnO掺量的增加,Ba(MgNb)O
陶瓷的1:2超晶格衍射峰的强度减弱,但是没有第二相出现.1400℃烧结4h陶瓷的晶粒尺寸在1.5μm左右.MnO的掺入改善了Ba(MgNb)O陶瓷的微波介电性能,MnO掺量为1﹪mol的Ba(MgNb)O陶
用熔盐法和固相法合成SrBiTiO粉体,对其微观形貌进行了对比.熔盐法合成的粉体片状结构明显,合成温度低,比固相合成合成温度低50℃,一定程度上避免了BiO的挥发.热压烧结的SrBiTiO陶瓷在(001)面取向非常明显,其压电性能也得到提高.
采用修饰的Pechini方法制备了纯相BaCoFeTiO(BCFT)样品.X射线衍射(XRD)证明了该方法制备的陶瓷粉体及烧结样品为单一的六方钙钛矿相结构.扫描电镜(SEM)观察显示BCFT烧结样品具有均匀的微结构.电导测量显示:在570℃以下具有电阻负温度系数(NTC)特征,而在570~1000℃则呈电阻正温度系数(PTC)特征,结合碘滴定对BCFT样品在不同温度下的氧非化学计量测量结果,分析认
采用溶胶-水热法合成了PLZST反铁电陶瓷纳米粉,并采用XRD,SEM和SAXS对其相组成、形貌和粒度进行了分析.PLZST晶相单一,纯度高,分散时为纳米球形,团聚为微米六面体,具自组装倾向.用溶胶-热压法制备了不同比例的PLZST/PVDF 0-3型压电复合材料.研究了组成、电极以及极化电压对其介电性能的影响.结果表明:质量比3:1的PLZST/PVDF复合材料在110℃,极化电压为15kV/m
用溶胶-凝胶的方法制得(111)取向的PZT铁电薄膜,并喷涂于Pt(111)Ti/SiO/Si衬底上.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式纳米级分辨率地观察到了几乎等间距或中间间距大于两侧的条状畸结构.这主要与晶粒和衬底间的应力应变有关.从这畴结构我们提出铁电畴形核和生长速率模型.其基本过程如下:(1)由于薄膜和底电极间周期性的结构和成分起伏,致使畴结构在此相连处形核.(2)铁电畴横向生长至相临
采用柠檬酸盐法制备SnO-FeO粉体材料.XRD结构分析表明,在750℃焙烧温度下制得的粉体材料中铁原子大部分进入SnO晶格中,以SnO-FeO固溶体状态存在.采用750℃焙烧温度下制得的SnO-FeO固溶体为基体材料,制作旁热式气敏元件并考察其气敏特性.结果表明此类元件对乙醇、一氧化碳等还原性气体具有较高的灵敏度.同时元件长期稳定性良好,100天内元件阻值及灵敏度变化很小.
以Czochralski技术生长Mg(2mol﹪):Er(1mol﹪):LN,Mg(4mol﹪):Er(1mol﹪):LN, Mg(6mol﹪):Er(1mol﹪):LN, Mg(8mol﹪):Er(1mol﹪):LN,和Er(1mol﹪): LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO晶体的红外光谱,Mg(2mol﹪):Er:LN, Mg(4mol﹪):Er:LN OH吸收峰在3486cm附近,Mg(
系统研究了烧结温度、保温时间以及粘结剂的种类对荧光粉热劣化程度的影响.研究结果表明,当烧结温度高于450℃时,荧光粉开始发生热劣化,且随着温度升高.劣化加剧.在550℃,荧光粉相对亮度下降30﹪,色坐标下降26﹪.而荧光粉浆料烧结后,其亮度的下降趋势较原粉进一步加强,尤其当采用较低的烧结温度时(450℃,480℃),有机粘结剂的分解完全与否是造成荧光粉亮度下降的主要因素.而当烧结温度进一步提高后(
采用不同的熔制气氛制备了一系列密度大于5g/cm的Ce掺杂重金属锗酸盐玻璃.玻璃基质组成包括GeO、BaO和GdO.通过比较分析辐射前后玻璃在紫外可见区的透射光谱及差示透射谱(DTS)研究了玻璃透射光谱的辐射诱导效应.结果表明,基质玻璃随着辐射剂量的增加透过率大幅度单调下降.但是掺入Ce之后,辐射使玻璃的透过率下降不多,甚至有所增强,并且和玻璃的熔制气氛和辐射剂量有一定关系.这一特殊现象是由熔制气
利用离子束溅射方法制备了外加磁场79600A/m的AgCo颗粒膜,成分用X-ray能谱仪EDAX9100测定;颗粒膜磁电阻采用四端法测量.结果表明,其巨磁电阻随外磁场是线性变化的并用朗道相变理论解释了磁电阻的逾渗现象.