论文部分内容阅读
移动加热器法(Travelling Heater Method,简称THM)是目前最有前景的生长大尺寸、高质量CZT单晶的方法之一。但由于热力学因素和工艺因素,在晶体生长过程中很容易引入大量的Te夹杂/沉淀,从而对CdZnTe晶体的结构和性能均匀性产生严重影响。
生长工艺参数对CdZnTe中Te夹杂相的影响
【摘 要】
：
移动加热器法(Travelling Heater Method,简称THM)是目前最有前景的生长大尺寸、高质量CZT单晶的方法之一。但由于热力学因素和工艺因素,在晶体生长过程中很容易引入大量的Te夹杂/沉淀,从而对CdZnTe晶体的结构和性能均匀性产生严重影响。
【机 构】
：
西北工业大学
【出 处】
：
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
：
2015年5期
其他文献
宽光谱光栅单色仪输出波长准确度是单色仪最主要的参数之一，目前对单色仪输出波长的的校准大多采用汞灯，来完成单色仪输出波长在可见光范围内的校准，但无法对满足在红外波段波长的校准.针对这一定标需要，并且依据光栅衍射原理，提出了一种采用激光漫反射法测量宽光谱光栅单色仪波长准确度的方法.选用632.8 nm、1550 nm、3.39 μm 三个激光器作为入射光源对光栅单色仪进行了校准，每个激光器测量了三级衍
提出一种基于AdaBoost 算法和Kalman 滤波的手势识别方法,并移植到嵌入式平台,完成智能轮椅的人机交互系统的设计.该系统具有可移植性强、功耗小、成本低等优点.本系统采用S3C2440 作为微处理器,Linux 作为操作系统；利用Qt/Embedded 图形开发环境设计人机交互界面.采用Kalman 滤波器对下一帧图像中手势位置进行预测,提高了手势识别算法的速度和精度.实验证明,该人机交互
利用自建的全固态高功率飞秒Yb∶LYSO 激光器同步抽运MgO∶PPLN 参量激光器,实现了宽带可调谐的飞秒光参量振荡输出.实验中Yb∶LYSO 激光器产生的激光中心波长为1035 nm,光谱半高宽为4.3 nm,最大平均输出功率为2 W,脉冲宽度为351 fs.通过腔长调谐和改变极化周期,我们得到了信号光从1428～1763 nm 可调,对应闲频光从2506～3760 nm 的宽带调谐输出.测得
对制导弹药激光目标模拟系统中光斑大小控制单元进行了研究。根据系统对光斑张角的变化范围、变化最大速率和控制精度的设计指标要求，对光斑大小控制系统进行了数学建模，给出了力矩电机与平台负载的传递函数，并利用ELMO 驱动控制器、直流力矩电机构成单向有限角位置伺服控制，内部实现电流反馈、速度反馈和位置反馈的闭环控制。
Study on the Gain-Flatness Characteristics of Backward-Pumped Distributed Fiber Raman Amplifier base
A theoretical model based on the genetic algorithm is proposed and presented to analyze the gain-flatness characteristics of backward-pumped distributed fiber Raman amplifier(B-DFRA).The relationship
会议
AlN原料的纯度与粒径尺寸是提高AlN晶体的生长速率和晶体质量的重要因 素[1].本研究先后进行了高温烧结以提纯原料，以及通过研磨来降低原料粒径，获得了1英寸AlN多晶锭，最大单晶区为5×5mm2.
晶体生长与母相和生长界面的性质密切相关，对它们的研究是认识晶体生长本质的重要途径之一。本报告以非线性光学晶体LiB3O5的高温助溶剂生长研究为例，通过实验观测和理论分析获得晶体生长母相基元结构及其在生长界面附近的动力学演变规律，展示出这些结构信息对于研究晶体生长微观机理，解释晶体生长现象，指导晶体生长实践的重要性。
提拉法晶体生长控制实践和现代控制理论各自发展到了相对成熟的阶段，但是，实际应用于提拉法晶体生长的控制技术并非在现代控制理论框架的指导下实现，传统的正负反馈理论和PID运算技术已经可以实现较好的提拉法晶体生长控制。
Microstructure and Sensitization Effect of Al-codoping on Nd-related Photoluminescence in Anatase Si
There has been considerable interest on rare earths doped oxide semiconductors because of their potential applications in optical electronics.Rare earth ions in oxide semiconductor are surrounded by O
会议
SIMULATION OF STATE-OF-THE-ART LIGHT-EMITTING DIODES FOR UNDERSTANDING PHYSICAL PROCESSES INVOLVED,O
Due to recent breakthrough in the fabrication technology of III-nitride light-emitting diodes(LEDs),a number of emerging application fields has been now opened.Among them,solid state lighting(SSL) is
会议