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基于低温键合技术制备SOI材料的研究

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：btly540205390

【摘 要】

：

本文通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系,研究结果表明退火温度在100℃升到300℃的过程中,键合强度得到明显加强,高于300

【作 者】

：

詹达 马小波 刘卫丽 宋志棠 林梓鑫 沈勤我 

【机 构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,200050

【出 处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

键合技术 退火温度 键合强度 缺陷密度 等离子体 直接键合 低温技术 处理技术 表面活化 顶层硅 结构 表征 

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论文部分内容阅读

本文通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系,研究结果表明退火温度在100℃升到300℃的过程中,键合强度得到明显加强,高于300℃,键合强度随退火温度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和smart-cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.

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