直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究

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<正> 中科院半导体所、中科镓英半导体有限公司承担了“直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究”任务后,重点研究了大直径砷化镓单晶从研究到生产的重复稳定性、可靠性及成品率等各项实用化关键工艺技术问题。经过二年的努力,Φ3英寸、中4英寸的半绝缘砷化镓单晶已实现实用化生产。在6英寸SI—GaAs单晶生长工艺技术的研发方面取得了突破性进展:2002年9月研制出我国
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