【摘 要】
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本文通过在P-HgCdTe上生长自身硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特笥的分析,获得了ZnS/自身钝化膜/P-HgCdTe的界面特性.所测的界面电荷密度在10到10之间,平带电压在2V以下.已基本上能满足HgCdTe红外焦平面的表面钝化的要求.
【机 构】
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昆明理工大学材料系（昆明） 昆明物理研究所(昆明)
【出 处】
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第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会
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本文通过在P-HgCdTe上生长自身硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特笥的分析,获得了ZnS/自身钝化膜/P-HgCdTe的界面特性.所测的界面电荷密度在10<10>到10<11>之间,平带电压在2V以下.已基本上能满足HgCdTe红外焦平面的表面钝化的要求.
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