【摘 要】
：
本文采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGa材料,通过优化AlN和AlGaN 材料的生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ等工艺条件,得到了高质量的AlN、AlGa材料,Al
【机 构】
：
Science and Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang,050051,China
【出 处】
：
2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
论文部分内容阅读
本文采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGa材料,通过优化AlN和AlGaN 材料的生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ等工艺条件,得到了高质量的AlN、AlGa材料,AlN双晶衍射ω(002)半宽为74 arcsec,Al0.45GaN双晶衍射ω(002)扫描半宽为223 arcsec,并对材料进行了器件验证,研制出PIN型AlGaN基日盲紫外探测器,响应峰值波长为262nm,在零偏压下的峰值响应度达到0.117A/W.
其他文献
本文介绍了基于AlGaN/GaN HEMTs的Ku波段内匹配功率放大器的设计与分析。为了提高内匹配电路设计的精确度，本文从两方面对匹配电路的设计进行改进：1、改进内匹配电路匹配网
本文采用上海硅酸盐研究所自制的2英寸(1英寸=25.4 mm)半绝缘6H-SiC晶体开展了光导开关的制备与性能研究。采用PVT法制备了钒掺杂的6H-SiC晶体，晶体结晶质量的高分辨X射线
由于InAlN材料在微电子领域的发展,有必要研究其表面电子结构.利用X射线光电子能谱(XPS)和微曲Raman谱,研究了未掺杂的In0a3Al0.87N外延层的表面电子特性与势垒厚度的关
大数据作为新时代的象征,已被广泛应用于我国农产品冷链供应的各个环节.分析了我国水果冷链物流的产生及对大数据应用的需求,基于我国冷链物流发展现状进一步分析了大数据在
本文首次提出了常关型三维异质结围栅极型的异质结场效应晶体管(FinHFET).FinHFET通过肖特基金属接触的方式实现了围栅极型的异质结场效应晶体管.凹形栅极的肖特基金属改
本研究克隆测序了我国口岸截获和国内采集的7种乳白蚁的线粒体细胞色素氧化酶Ⅱ(COⅡ)基因,并进行序列分析,构建了系统发育树,进行系统发育研究.研究结果表明:乳白蚁COⅡ基因
联合国贸易和发展会议日前透露,中国不仅是外国直接投资的主要接收国,而且正逐渐成为资本的输出国。贸发会议的数字显示,去年中国的对外直接投资总额超过350亿美元,目的地多
本文采用一种VDMOS(垂直双扩散MOS)结构，借助Silvaco软件中的Atlas器件仿真工具，通过对迁移率模型及复合模型、雪崩击穿模型的修正，使得器件输出特性较接近实测数据，并通过对
进一步强化政府的职责 继续加强对项目工作的领导加强妇幼保健机构建设 巩固基层妇幼卫生服务网络紧紧围绕妇幼卫生的战略目标安排和落实项目工作
To further strengthen th
一起成人麻疹暴发的调查河北省保定地区卫生防疫站（０７１０００）麻熙乐，王永惠河北中医兽医学校１９９３年６月５～２０日发生一起以出疹、发热、上呼吸道卡他为主要症状的疾病。经过调查为一起成人麻疹暴发流