【摘 要】
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在不同的基片偏压下利用电弧离子镀技术制备氮化锆薄膜，以考察基片偏压对氮化锆薄膜微结构和表面形貌的影响.利用XRD、EPMA和FE-SEM等技术对不同偏压时得到ZrN薄膜的相结
【出 处】
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2012 Postdoctoral Symposium of China on Materials Science &a
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在不同的基片偏压下利用电弧离子镀技术制备氮化锆薄膜，以考察基片偏压对氮化锆薄膜微结构和表面形貌的影响.利用XRD、EPMA和FE-SEM等技术对不同偏压时得到ZrN薄膜的相结构、成分和表面形貌进行表征.结果表明，薄膜中存在立方氮化锆和六方纯锆相；随着基片偏压的增大，薄膜的择优取向由(111)变为(200)，最后变为(111)，晶粒尺寸由30 nm减小至15nm.同时发现，随着基片偏压的增大，薄膜微结构由明显的柱状特征变为致密的等轴晶特征，表明由偏压增强的离子轰击能有效抑制柱状晶生长；薄膜沉积速率和锆氮摩尔比随着基片偏压的增大先增大后减小，在-50 V时达到最大.
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