【摘 要】
:
碲镉汞(HgCdTe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有禁带宽度可调、量子效率高等优势,使其在红外探测器件的制备中得到广泛应用.然而,HgCdTe材料在生长过程中容易产生汞空位(VHg)、碲反位(TeHg)[1]等缺陷,从而对红外器件的电学性能产生很大影响.
【机 构】
:
中国科学院上海技术物理研究所,上海市玉田路500号 200083
论文部分内容阅读
碲镉汞(HgCdTe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有禁带宽度可调、量子效率高等优势,使其在红外探测器件的制备中得到广泛应用.然而,HgCdTe材料在生长过程中容易产生汞空位(VHg)、碲反位(TeHg)[1]等缺陷,从而对红外器件的电学性能产生很大影响.
其他文献
应力技术作为可以有效提高MOSFET性能的方法,自90nm技术节点之后便得到了广泛的应用[1].应力在改善器件的工作特性的同时,会对器件的工作的稳定性产生影响[2].
随着光通信速度的迅速发展,光通信速度的进一步提升遇到了电子瓶颈的限制.全光通信可以克服这一障碍.而这其中,全光缓存是需要迫切解决的问题.慢光的出现为解决这一问题提出了可能途径[1,2].
受限小量子点系统中电子隧穿的关联效应——包括强电子-电子相互作用及电子-声子相互作用——是目前介观量子输运领域的热点问题.由于小量子点系统参数的良好可控性(如其电子能级,与电子库的耦合强度,甚至外加磁场,光照等),使得该系统成为实验上研究强关联效应的极好平台.
实验已经观测到,在单轴应力作用下,Ge CMOS器件中载流子的迁移率会大幅提高[1].应变Ge的能带结构是研究其载流子有效质量,迁移率等物理参数的基础.
ZnO是一种多功能宽带隙金属氧化物半导体材料,因其对环境污染小、具有较高的粒子激活能等特点,被广泛应用于电阻型薄膜气体传感器[1].而构筑出高性能低成本的气敏器件,一直是科研人员所追求的目标[2].
使用In、N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一[1].同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与GaAs衬底晶格匹配的优势[2],基于GaAs衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.
低维半导体材料在新型半导体器件开发上具有广阔的应用前景,近年来一直为半导体科学技术领域的研究热点.从理论上研究低维半导体材料的电子态,对新型半导体器件设计具有重要的理论价值和指导意义[1-3].
室温下,采用磁控溅射方法在热氧化P型硅衬底上制备了IGZO-TFT.在不同氩氧比条件下制备IGZO薄膜,研究氧分压对IGZO-TFT性能的影响.发现随着氧分压的增加,器件的场效应迁移率逐渐减小,电流开关比也逐渐减小,但阈值电压和亚阈值摆幅逐渐增加.
新原理量子点量子阱光电功能器件是目前研究和应用的重要光电器件之一,在微光探测领域其性能尤为突出.由其所构成的焦平面是新原理量子点-量子阱光电器件发展的重要方向.
近年来,采用分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其纳米光电器件研究成为新型纳米光电器件和量子物理研究领域的热点.其中一个重要的研究方向是把纳米线与三维量子限制结构如量子环[1]、量子点[2]等结合以期待获得新的光电和量子效应.