多量子阱结构相关论文
传统的经典理论认为,半导体多量子阱结构中存在很强的量子限制效应,可以有效地对载流子进行捕获和限制,因此多量子阱结构被广泛的......
利用变温光荧光(PL)、阴极荧光(CL)以及时间分辨光荧光(TRPL)技术研究了具有不同渐变In组分的InxGal-xN/GaN多量子阱结构中的相分凝......
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构,并制作了电池原型器件。XRD摇......
本文报道了一种基于多量子阱结构的两段式单片集成被动锁模半导体激光器,激射波长1038nm.并且可以得到脉冲宽度2.6ps、峰值功率211......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的......
本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效......
该文报导InGaAs/GaAs谐振腔增强型(RCE)光调制器的结构设计。首先作者们计算了InGaAs/GaAs多量子阱结构二维激子吸收系数和量子限......
半导体超薄微结构材料是发展新一代半导体科学技术的材料基础。其主要生长技术是MBE、MOCVD和新发展起来的CBE技术。该文首先简述......
该文通过对量子阱半导体激光器的光增益理论的分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的结构进行了......
随着现代薄膜生长技术的发展,半导体薄膜已进入人工设计多层异质结构的新阶段。具有一维周期结构的晶态超晶格因为具有诸如量子尺寸......
合成并表征了蓝光染料1-(2-苯并噻唑基)-3-苯基吡唑啉(BTP).首次以BTP为有机电致发光染料、以聚乙烯咔唑(PVK)为聚合物基质,采用染......
首次提出用掺杂方法制备有机量子阱器件的思想,用rubrene掺杂8-羟基喹啉铝(Alq)做阱层,未掺杂Alq做垒层,由于rubrene的HOME和LUMO......
雪崩光电二极管(avalanche photodiode,简记为APD)由于其固有的倍增机制,能够探测微弱的光信号并且器件结构简单、成本低、体积小,使得......
在新型光电子、光通信等技术迅猛发展的今天,硅基光电集成采用成熟且价廉的微电子加工工艺,将光学器件与多种功能的微电子电路集成,是......
该文首先介绍了所采用的样品的结构上,给出了利用有质量包络波函数方法计算的该结构的电子及空穴能级分析,并和样品的PL光谱进行了......
该论文研究内容涉及相干光场与一维主动型光学周期结构相互作用方面的理论研究.内容包括一维周期结构的主动光子晶体材料在各种排......
美国国家可持续能源实验室和科罗拉多大学的研究者们合作开发了一种高效能的双结型太阳能电池,其具有一个薄的多量子阱结构.......
测量了包含有超薄层AlAs/GaAs超晶格的GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光电流谱,比较研究了不同能级上的光和热诱导载流子在外电场下渡超薄层AlAs势垒的隧穿时......
从南京工业大学获悉,该校黄维院士、王建浦教授团队创新性地设计并制备了一种具有多量子阱结构的钙钛矿LED,其器件效率和稳定性远超......
Organic multiple quantum well(OMQW)structures consisting of alternating layers of tris(8-quinolinolato)aluminum(Ⅲ)(Alq3)a......
采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导......
南京工业大学黄维院士、王建浦教授团队近日创新性地设计并制备了一种具有多量子阱结构的钙钛矿LED,其器件效率和稳定性远超国际同......
本文在国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的压,张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性......
【正】 本专利介绍一种用于探测飞机机翼上结冰现象的方法和仪器,其具体做法是,用一台长波红外敏感仪的小视场扫描整个机翼。在结......
通过传输矩阵法,对负介电常数材料和负磁导率材料组成一维光子晶体的多量子阱结构的共振隧穿特性进行了研究。结果表明,该结构中存......
在77K温度,测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=1589cm-1,即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰,分析认为,该电流峰......
在室温下测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的红外吸收,观察到在706、770、1046、1282和1653cm^-1处的几个吸收峰。认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关,理论计算的吸......
本文利用透射电子显微镜、光致发光谱、X 射线双晶衍射和电子全息等多种实验手段和方法,深入地研究了二维InGaN/GaN 多量子阱结构......
<正> 美国喷气推进实验室最近提出了一种可同时以三个不同红外波段敏感图像的量子阱红外光电探测器(QWIP)焦平面列阵。这种量子阱......
O472.3 98042720GaAs衬底上分子束外延ZnTe<sub>1-x</sub>S<sub>x</sub> 合金的光学声子散射研究=Optical phonons scattering stu......
紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的......
<正>一、前言2014年10月7日,瑞典皇家科学院将诺贝尔物理奖授予了日本科学家赤崎勇(Isamu Akasaki),天野浩(Hiroshi Amano)和中村......
有机电致发光二极管(OLED)是一种新型照明、显示器件,它具有可弯曲、响应速度快、色彩丰富、功耗低等优点,已经成为当今平面显示和固......