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用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相:E-BN、c-BN、w-BN
用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相:E-BN、c-BN、w-BN
来源 :第十届全国高压学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q2347386
【摘 要】
:
用射频磁控溅射的方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明薄膜具有很好的附着力,且含有少量的E-BN和w-BN。电子衍射谱表明薄膜表层是纯的立方相。同时利用此方法得
【作 者】
:
何志
朱品文
赵永年
邹广田
【机 构】
:
吉林大学超硬材料国家重点实验室
【出 处】
:
第十届全国高压学术讨论会
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
气相沉积方法
低气压
立方氮化硼薄膜
射频磁控溅射
电子衍射谱
转变过程
红外光谱
薄膜生长
立方相
附着力
低应力
经历
表层
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用射频磁控溅射的方法得到了低应力立方氮化硼薄膜。红外光谱结果表明薄膜具有很好的附着力,且含有少量的E-BN和w-BN。电子衍射谱表明薄膜表层是纯的立方相。同时利用此方法得到了E-BN的薄膜。本工作提出了薄膜生长过程可能经历了一个从E-BN到c-BN的相转变过程。
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