【摘 要】
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近年来,通过探测材料的二次谐波偏振特性可以判定材料的晶格取向[1]以及原子排列方向,尤其是单层过渡金属硫化物[2].而且对比传统的透射电子显微镜(TEM),探测二次谐波的方法更加具有普遍适用性,尤其是针对比较大且厚的块状材料.另外,半导体纳米线的光电特性使其在光电子器件,全光开关等方面受到广泛应用,但是在应用中弯曲对其影响并没有引起注意.本文通过探测单根氧化锌纳米线二次谐波的偏振特性,研究弯曲的纳
【机 构】
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华中科技大学物理学院 湖北武汉430074
【出 处】
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湖北省物理学会、武汉物理学会2015学术年会
论文部分内容阅读
近年来,通过探测材料的二次谐波偏振特性可以判定材料的晶格取向[1]以及原子排列方向,尤其是单层过渡金属硫化物[2].而且对比传统的透射电子显微镜(TEM),探测二次谐波的方法更加具有普遍适用性,尤其是针对比较大且厚的块状材料.另外,半导体纳米线的光电特性使其在光电子器件,全光开关等方面受到广泛应用,但是在应用中弯曲对其影响并没有引起注意.本文通过探测单根氧化锌纳米线二次谐波的偏振特性,研究弯曲的纳米线中的晶格畸变.实验中检测到纳米线的短轴与长轴方向二次谐波强度比值随弯曲曲率变大而减小.对比由TEM测试晶格畸变的变化范围3％[3],本实验提高其灵敏探测度至30％.
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