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会议论文
Si表面上的纳米台阶
Si表面上的纳米台阶
来源 :中国真空学会第五届学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chaohushixi
【摘 要】
:
近年来,半导体的低维结构材料(量子线和量子点)倍受人们的关注。如何制备这种材料是其中的关键问题之一。对Si来说,至今的研究结果表明,利用它的某些高指数晶面上的原子台阶结构,有望
【作 者】
:
刑益荣
【机 构】
:
科学院半导体研究所,中国科学院表面物理国家重点实验室
【出 处】
:
中国真空学会第五届学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
表面
量子线
低维结构材料
台阶结构
线材料
量子点
半导体
指数
原子
纳米
晶面
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近年来,半导体的低维结构材料(量子线和量子点)倍受人们的关注。如何制备这种材料是其中的关键问题之一。对Si来说,至今的研究结果表明,利用它的某些高指数晶面上的原子台阶结构,有望形成纳米的量子级的量子线材料。
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