量子线相关论文
量子技术不仅为人类认识自然提供了新的视角,还为科技的发展打开了新的大门。量子技术的基础是量子材料,而其中最有希望应用于未来......
量子线材料中,自由载流子会在两个维度受到限制作用,这使得量子线材料对比体材料和量子阱材料具有更优的光学性质,如更容易达到激......
当今，众多材料制备技术例如金属有机物化学气相沉积、分子束外延法和自组装技术等可以制备出不同尺寸、外形和介电环境的纳米材料。......
本文主要研究了具有抛物势的低维量子体系的极化子效应。包括圆柱形自由量子线和量子阱的极化子效应。在第一章中概述了异质结、量......
利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法，制备出纯度极高、直径分布均匀（１３ｎｍ左右）的硅的一维量子线。光致发光（ＰＬ）测量显示，在３１３．５ｎｍ激光激发下，室温下......
本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开......
我们采用动力学蒙特卡罗模拟，对对称性破缺的简立方晶体(001)表面上经向和纬向不同热粗糙度对量子线(纳米线)生长的影响进行研究。......
有源区载流子浓度变化导引的折射率变化是许多新型光通信器件的工作机理, 对量子线材料折射率变化偏振相关性的研究有利于改善器件......
本文采用幺正变换和改进的线性组合算符相结合的办法研究了自旋对量子线中强耦合束缚极化子性质的影响。计算了在自旋影响下量子线......
采用线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了Rashba效应对抛物量子线中强耦合束缚极化子激发态性质的影响, 计算了束缚极化子的......
具有量子电导行为的金属线被称为金属量子线。由于其在纳米电子学和化学传感方面的潜在应用，其研究受到极大关注，但是很少有工作......
用动力学李代数方法描述了纳米结构中准一维系统(量子线)的电子态,这种代数方法特别适合于理论上求解这些人造量子系统问题,得到了......
用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。......
采用表面光电压谱和光致荧光激发谱对多孔硅的能带结构和跃迁特性进行了系统研究。结果表明，多孔硅的带隙明显大于单晶硅的带隙，在３００～５００ｎｍ区......
电子波导器件是今后量子线十分重要的应用领域之一。本文从薛定谔方程出发，得出了有关量子线中传输电子特性的一组约束方程，也即描述......
在（１１１）晶向的ｎ型单晶硅片上，用电化学腐蚀的方法成功地制备出多孔硅膜，室温下，在３４４ｎｍ波长的光激发时用肉眼观察到明亮的桔红色荧光（５７７ｎｍ）。研究了ＨＦ浓度......
介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺，并分析了它的微结构，实验测定了多孔硅光致发光谱（ＰＬ），由ＰＬ谱的峰值位于可见光区，不同于Ｓｉ的带隙能量；用......
ＬｏｗＴｈｒｅｓｈｏｌｄＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤｏｕｂｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＬａｓｅｒｓ￥ＸｕＺｕｎｔｕ（徐遵图），ＺｈａｎｇＪｉｎｇｍｉｎｇ（张敬明），ＹａｎｇＧｕｏｗｅｎ（杨国文），ＸｕＪｕｎｙｉｎｇ（徐俊英），ＸｉａｏＪｉａｎｗｅｉ（肖建伟...
LowThresholdGaAs / AlGaAsDoubleQuantumWellLasers ¥ XuZuntu, ZhangJingming, YangGuowe......
硅是间接禁带半导体,禁带宽度为1.11eV不可能在可见光区发光。1990年,Canham发现电化学阳极氧化制备的多孔硅(porous silicon缩写......
本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法，研究了其再结晶性质．由RRH／VLP－CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料，经能量为180......
本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线......
提出了新型ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层Ｉｎ组分的变......
采用变分法及介电连续模型研究了量子线中的Ｓｔａｒｋ效应，分别计算了受限ＬＯ声子及表面声子对Ｓｔａｒｋ移动的修正．
The Stark effect in the quantum wi......
回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧......
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表......
本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的......
本文介绍了一种可以实用的侧墙式ＧａＡｓ量子线及其列阵结构．沿〔０１－１〕方向腐蚀条形的（３１１）Ａ衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的......
光子线激光器量子线激光器与砷化像中只有１０～２０ｕｒｎ宽的条内的激子、特别是电子的量子约束有关。美国伊利诺斯州西北大学Ｓ．Ｔ．ＨＯ报导的光子线激光器......
针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器），包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈......
综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的......
报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺 ,在 p型 SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子......
据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是利用注氧隔离(SIMDX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。其特征是:将SOI衬......
据英国《Infrared Physics &Technology》杂志报道,美国内华达大学电学与计算机工程系的研究人员研制出了若干种可在长波和甚长波......
在分子束外延生长的InAs/In0.52Al0.48As/InP异质结体系中,形成InAs量子线.这些InAs量子线在生长和结构方面有一些独到的特性,并介......
本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值......
通过在AlxGa1-xAs/GaAs异质结表面制作一对分裂门,获得了用于实现声表面波单电子输运的准一维量子线.实验研究了0.3 K时电子沿该量......
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的......
在有效质量自由电子近似下,用散射矩阵方法计算了两端非绝热连接正常导体电极的弱D resselhaus自旋轨道耦合量子线的自旋电导.结果......
在有限深势阱模型下,求出了考虑到电子-声子相互作用情况下量子线电子基态能、概率分布和禁带宽度,以HgS/CdS量子线为例,研究了电......
在一维等效模型下采用有效差分法对抛物型量子阱线中带电激子的束缚能进行了计算,分析了约束势以及磁场对带电激子束缚能的影响,并......
基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子......
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了......
