【摘 要】
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本文利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm.通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面
【机 构】
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南京理工大学理学院应用物理系,南京,210094
【出 处】
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北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会
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本文利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm.通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数,结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况,用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明,LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长,在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫,当薄膜厚度为100nm以上时,薄膜的微应变接近于完全弛豫,并表现出与块体材料类似的磁电阻特性,具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度.
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