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Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存在有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对Ga,B元素在SiO<,2>-Si界面中的分凝特性进行研究,发现负阻效应的存在及其大小与P型杂质的分凝特性有关,并找到了改善器件负阻效应的有效措施.
Ga,B元素的分凝特性与负阻效应
【摘 要】
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Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存在有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对Ga,B元素在SiO-Si界面中的分凝特性进行研
【机 构】
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山东师范大学半导体研究所(济南)
【出 处】
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2002年中国材料研讨会
【发表日期】
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2002年期
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