负阻效应相关论文
小型化窄带可调滤波器设计是通信系统中的难点,本文利用带宽变换的原理,实现小体积弱耦合窄带宽的滤波器设计.此外,本文提出负阻补......
为了便于气体放电等离子体的起燃,驱动恒流源需要较高的开路电压,同时因气体放电具有负阻效应,起燃后维持放电所需的电压远小于起燃电......
该文对PE薄膜的电导特性的实测数据进行了非线性回归分析,得出了三种模型.分析三种模型后可得有关项的物理意义,并可得到欧姆传导、空......
开发了一个半导体器件的电热耦合器件模拟程序。它以双重能量传输模型为基础,包括了晶格中的热扩散以及载流子的产生、复合所造成的......
研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其......
从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电......
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHB......
本文采用17个原子的原子蔟,用电荷-组态自洽的EHMO方法,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得......
研制了耐压达32kV,通态峰值电流达3.7kA的高压超大电流半绝缘GaAs光电导开关.分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出对于间接能......
美国“应用物理快报”1970年1月(Appl.Phys.Lett.16(1),P.40)刊登了法国一实验室的一篇研究简报,报导氧化镍薄膜在室温下有开关和......
在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超......
把约氏结置于腔体内观察到了波长一毫米的幅射。证明了约氏结具有微波负阻效应的依据,并为约氏结作反射式参量放大提供了依据,看到......
本文从“准正弦”的方法导出了变容二极管调谐的耿氏二极管压控振荡器的电路方程。对非线性元件作了专门的处理,得到了一个通用的......
本文研究了穿通结构半导体二极管在低场工作条件下(即恒定迁移率)的两端阻抗特性。研究结果表明,采用交流电理论的复数方法,能够得......
在文章(1)(2)(3)中报导了在扩散型和合金型碳化硅二极管中呈现有负的微分电阻。但是,在这些文章中描述的样品只具有不大的转折电......
一、引言隧道二极管是一种新型的半导体器件,它的工作机理是依赖于电子穿透窄p-n结禁带的量子隧道机构而完成的.这种高掺杂的突变......
本文研究了不同电极材料(Au、Ag、Cu、Al和SnO_2、In_2O_3)对酞菁铜(PcCu)蒸发膜V-I特性的影响.用同样的金属(Au、Ag、Cu)作顶底电......
本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系......
系统地报道和探讨了在研究间接耦合光电探测结构光致负阻特性中所发现的一系列实验现象.在对这些实验现象综合分析的基础之上,提出了......
对于音乐爱好者来说,都有一套自己的音响系统,而其中的扬声器系统——音箱,对重播声音的质量起着举足轻重的作用,所以在选择音箱......
从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析.结果认为,负阻摆幅的大小对小电......
期刊
本文针对表面传导电子发射显示器件制备中,在导电膜上加电形成纳米级裂缝的这一过程从电压、电流变化方面进行分析.实验中发现在形......
Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存在有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,......
本文通过静电作用前后电阻变化规律、Ⅰ-Ⅴ特性曲线、发火电压及临界爆发电流等手段分析了半导体桥火工品的静电作用特性。利用电......
由于高压器件有很多区别于标准MOS器件的特点,BSIM3模型用于VLSI中高压轻掺杂漏MOS器件(HVLDMOS)的模型存在不足。本论文主旨是对VL......
超宽带无线通信(Ultra-Wideband:UWB)技术是一种新型短距离无线通信技术,凭借其极高的数据传输速率、较少的功率消耗、极高的精度......
纳米电子学是纳米科技的重要科学基础,将成为21世纪信息时代的科学核心。纳米电子学的重要研究内容包括纳米结构的加工制造技术和具......
有关半导体量子阱Ⅰ-Ⅴ(电流-电压)曲线的研究是自负微分电阻效应(简称负阻效应)发现以来较为活跃的一个领域,而对Ⅲ-Ⅴ族半导体化......
本文从材料制备工艺、结构分析、外场诱导等方面对钙钛矿结构锰氧化合物特大磁电阻材料进行了多方的实验研究和初步的理论分析,取......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对基于无孔Al_2O_3绝缘层的金属-绝缘层-金属(MIM)电子源存在显著负阻效应和无法在气氛下稳定发射电子的特点,提出并制备了一种A......
首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究.通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度......
针对目前UWB信号设计的现状,通过比较与分析,研究了一种基于负阻效应可控的UWB信号产生的微波电路。通过仿真与实验对其进行了验证......
对负阻效应在实际几种元器件中的存在及特性进行了研究和证明,重点研究了利用运算放大器构成的负阻抗变换器的变换阻抗性质.并运用......
研究了存在于聚合物发光二极管(PLED)中的一种可逆的"负阻"现象及短期衰退行为.当加在PLED上的正向偏压大于10V之后,其电流和发光......
利用二维ensemble-MonteCarlo方法模拟了直流偏置的半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关在飞秒激光脉冲触发下的两种工作模式.结果表明:......
桥式滤波电路极强的滤波作用很早兢得到广泛的应用,其吸收深度可以趋向于零,即电路Q值可以趋向无限大的事实却长期得不到很好的理......
对负阻效应在实际几种元器件中的存在及特性进行了研究和证明,重点研究了利用运算放大器构成的负阻抗变换器的变换阻抗性质。并运用......
用晶体管图示仪观测电子部件的负阻,由得到的曲线指导设计,在实验电路中,得到了两个负阻区对三个稳值的新结果。......
利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品。实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄......
用两只同极性的晶体管,设计成一个两端负阻电路,无须外加任何LC元件或自激,靠其内反馈就能产生可靠、稳定的周期脉冲振荡波形。据......
本文应用Ensemble-Monte Carlo方法模拟了半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关基于Anston等效电路亚皮秒传输特性。从载流子在开关体内的......
考虑了晶体格点的振动效应和光子-声子的相互作用,导出了对称双势垒结构中的电流密度随激光强度、照射时间,样品初始温度,材料的热容量......
本文对半超结逆导IGBT这一新型结构的导通机理进行分析。通过SilvacoTCAD软件仿真验证,半超结RC-IGBT的耐压能力、正反向导通能力......