【摘 要】
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本研究在不同尺寸的(111)面Si衬底上采用MOCVD生长了GaN层，和A1GaNIGaN-on-Si HEMT结构。通过采用多种应力缓冲层和位错过滤层，很大程度上避免了因为GaN和Si衬底之间的大晶格失配和热失配而引起的位错，从而得到高晶体质量、无龟裂的GaN材料。本研究在以上高质量GaN-on-Si的基础上，制作了异质结A1GaNlGaN HEMT结构。经过优化的AIGaN/GaN结构可以具有
【机 构】
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晶能光电(江西)有限公司,南昌 330069
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本研究在不同尺寸的(111)面Si衬底上采用MOCVD生长了GaN层，和A1GaNIGaN-on-Si HEMT结构。通过采用多种应力缓冲层和位错过滤层，很大程度上避免了因为GaN和Si衬底之间的大晶格失配和热失配而引起的位错，从而得到高晶体质量、无龟裂的GaN材料。本研究在以上高质量GaN-on-Si的基础上，制作了异质结A1GaNlGaN HEMT结构。经过优化的AIGaN/GaN结构可以具有较高的迁移率和二维电子气密度。通过采用多种应力缓冲层，位错过滤层和杂质缓冲层在不同尺寸的Si衬底(111)面上生长了无裂纹，高晶体质量和高击穿电压的GaN层，异质结，和具有较高的迁移率和二维电子气密度的突变A1GaNlGaN-on-Si HEMTs外延结构。由于晶体质量达到蓝宝石和SiC衬底上所生长GaN的质量，为GaN基功率器件取代SiC基功率器件，以及GaN HEMT-on-Si取代GaN HEMT-on-SiC在高频方面的应用带来了希望。
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