【摘 要】
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GaN HEMT器件的常温反偏老化实验中发现器件的栅漏电流明显增大。微区拉曼研究发现,栅漏电的增加伴随着HEMT器件沟道GaN材料张应力的增加。研究表明此结果和逆压电效应有关。
【机 构】
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专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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GaN HEMT器件的常温反偏老化实验中发现器件的栅漏电流明显增大。微区拉曼研究发现,栅漏电的增加伴随着HEMT器件沟道GaN材料张应力的增加。研究表明此结果和逆压电效应有关。外加反向电场致使AlGaN势垒层形变增加,当AlGaN层形变超过临界时发生晶格松弛。导致AlGaN势垒层位错和缺陷增加。GaN沟道层附近受到SiC衬底的张应力和AlGaN势垒层的压应力共同作用,AlGaN晶格的松弛促使沟道附近GaN晶格张应力增加。
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