【摘 要】
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在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型
【机 构】
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山东大学物理学院,济南 250100
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解计算得到制备样品零偏压下势垒高度:又依据导出的AlGaN/GaN异质结构中零电场下的势垒高度同零偏压下势垒高度之间的关系,计算得到所制备样品零电场下的势垒高度,其数值与通过光电流谱测试得到的势垒高度结果一致。
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