高温工作的795nm垂直腔表面发射激光器的研究

来源 :第十五届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yellow1989

【摘要】

：

本文针对87Rb芯片原子钟对激励光源的要求，开展了高温工作的795 nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的研究。采用压应变InAlGaAs/AlGaAs量子阱结构作为VCSEL器件的有源区；利用k·p理论分析了不同组份的InAlGaAs/AlGaAs量子阱结构的导/价带能级、自发辐射谱及增益谱，分析了不同量子阱结构的增益与温度的依赖关系；最终获得了最优的量子阱有源区结构。

【作者】

：

赵勇明孙玉润何洋黄杰于淑珍董建荣

【机构】

：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中科院纳米器件与应用重点实验室;中国科学院大学中国科学院

【出处】

：

第十五届全国固体薄膜学术会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

芯片原子钟垂直腔面发射激光器 InAlGaAs/AlGaAs量子阱阈值电流

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