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报道子快速退火（ＲＴＡ）对低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力的影响，研究了退火温度和时间及掺杂浓度关系，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速火可以使其压应力松弛，并使其转变成征张应力。
快速退火对多晶硅薄膜应力特性的影响
【摘 要】
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报道子快速退火（ＲＴＡ）对低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力的影响，研究了退火温度和时间及掺杂浓度关系，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速火可以使其压应力松弛，并使其
【机 构】
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大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年11期
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