Recent Advances in the MOCVD Growth of Ⅲ-N Light Emitting Devices

来源 :第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sysu_allan
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  Group Ⅲ-nitride-based green light-emitting diodes (LEDs) are increasingly used in applications for full-color displays, back-lighting, and color-mixing-based general illumination lighting systems.Currently, MOCVD is the preferred epitaxial materials technology for the high-volume production of Ⅲ-N LEDs and laser diodes (LDs), as well as for electronic devices, e.g., heterojunction FETs (HFETs).
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