【摘 要】
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高质量氮化镓衬底对氮化物半导体实现在大功率LED、蓝绿光激光器、功率微波器件和电力电子器件等方面应用具有重要的意义.目前制备GaN衬底的方法主要有氢化物汽相外延生
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州纳维科技有限公司,苏州215123
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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高质量氮化镓衬底对氮化物半导体实现在大功率LED、蓝绿光激光器、功率微波器件和电力电子器件等方面应用具有重要的意义.目前制备GaN衬底的方法主要有氢化物汽相外延生长方法(HVPE)、氨热法、助熔剂法、高压熔体生长法.近年来，前三种方法取得了巨大的进展，用三种不同方法均有报道实现2英寸GaN衬底的成功制备.HVPE方法具有大面积、批量制备的能力，如果能够在有效的材料生长厚度内将缺陷密度降低到器件要求的水平，将是最有竞争力的一种方法.本文从HVPE材料生长和光学光谱表征的角度，讨论氮化镓衬底制备的关键问题.
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