用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力

来源 :第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaomayc

【摘要】

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本文采用注硅的方法加固SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料，分别用加固和未加固的材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管并进行了10kevX射线总剂量辐照实验。结果表明加固

【作者】

：

毕大炜张正选张帅俞文杰陈明

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

【出处】

：

第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

【发表日期】

：

2009年期

【关键词】

：

晶体管表征材料制作总剂量辐射效应加固工艺注氧隔离辐照实验辐射能力绝缘体射线

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本文采用注硅的方法加固SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料，分别用加固和未加固的材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管并进行了10kevX射线总剂量辐照实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOX材料的抗总剂量辐射能力，同时也表明Pseudo-MOS方法能有效的替代实际的MOS晶体管对材料的总剂量辐射效应进行表征.

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