注氧隔离相关论文
本文介绍了采用键合-背面腐蚀的方法制备SOI材料(BESOI),硅膜的厚度为8μm,绝缘层SiO厚1.3μm,用于集成光波导器件和功率分配器的......
报道了用氦离子注入智能剥离形成SOI结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离......
本文采用注硅的方法加固SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料，分别用加固和未加固的材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管并进行......
研究了以10keY X射线为辐照源对注氧隔离（SIMOX）SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keY X射线对埋氧层加固样品与未......
针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁......
对ＳＩＭＯＸ材料进行了ＳＩＭＳ深度剖析，研究了电荷积累效应、二次离子传输效率等实验因素对测试结果的影响，氧检测的动态范围达三个量级。对国内、外......
利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管，并在ON偏置条件下分别对其进行了10keVX射线及^60Coγ射线总剂量辐照实验。实验......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离（SIMOX）材料进行改性，在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS／SOI反相器，并对其进行^60Co......
实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备 SOI(Silicon On Insulator)材料埋层结构的影 响.用截面透射电子显微镜和二次离子质......
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和......
与体硅材料和器件比较，ＳＯＩ具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩销效应等，因而被称为二十一世纪的微电子技术而引......
提出一种氧化增强注氧隔离工艺，在退火前氧化得到SiO2层，再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所......
介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移，泄漏电流和32位DSP电路静态......
研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第......
绝缘体上的硅(SOI)材料以其独特的结构在低压、低功耗电路,高温、抗辐照器件和光电子学等方面都有广泛的应用,并且与成熟的硅工艺......
适于高温环境应用的压力传感器的相关研究工作备受关注。以注氧隔离(SIMOX)技术SOI晶圆为基础,探讨了单晶硅高温压阻式压力传感器......
评述了国内外ＳＯＩ材料技术现状及发展动向，重点介绍超薄硅层ＳＯＩ材料中进展最快的氧注入隔离和硅片直接键合基片的性能及制备工艺技术，初步探......
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离（sIMOx）绝缘体上硅（sOI）材料作出改性，分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS／SOI器......
SOI(Silicon On Insulator，绝缘层上硅)硅片用于制造集成电路具有高速、低功耗、集成度高等优势。SIMOX(Separate by Implant Oxyge......
绝缘层上的硅（SOI）技术以其独特的结构在低压、低功耗电路，高温、抗辐照器件以及集成光电子器件方面有着广泛的应用，被誉为“21世纪的......
综述了SOI技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲......
