【摘 要】
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基于第一性原理计算了不同S原子覆盖率下6H-SiC(000(1))的表面能、电荷布局及表面态密度来研究钝化表面的稳定性问题.计算结果表明,S吸附6H-SiC(000(1))使表面态降低了约20el
【机 构】
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西安理工大学信息与自动化学院,陕西西安710048
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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基于第一性原理计算了不同S原子覆盖率下6H-SiC(000(1))的表面能、电荷布局及表面态密度来研究钝化表面的稳定性问题.计算结果表明,S吸附6H-SiC(000(1))使表面态降低了约20electrons/eV,并且随着S原子覆盖率的增大,表面能从约-5.2eV/nm2下降到约-40eV/nm2,结构更稳定.在覆盖率大于1/2ML的情况下,S原子桥位吸附6H-SiC(000(1))表面体系表现出更佳的稳定性.
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