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本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)。与无氟化石墨烯的普通MIS HEMT 相比,Al2O3/FG/GaN 结构中Al2O3 与GaN 之间有锐利的分界,不存在界面层,且生长的Al2O3 具有致密性高、介电常数大的优点。