切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
系统级电磁脉冲易损性评估过程
系统级电磁脉冲易损性评估过程
来源 :第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuwei1st
【摘 要】
:
介绍了系统易损性评估方法的数学框架,它由四个具有严格顺序的信息子空间和三个信息子空间之间的映射构成,评估的过程具有不可逆性。概括介绍了系统的电磁脉冲易损性评估过程
【作 者】
:
孙蓓云
周辉
【机 构】
:
西北核技术研究所 西安69信箱10分箱 710024
【出 处】
:
第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
:
2007年期
【关键词】
:
系统级
电磁脉冲
易损性
评估过程
子空间
信息
评估工作
评估方法
不可逆性
映射
数学
框架
价值
构成
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
介绍了系统易损性评估方法的数学框架,它由四个具有严格顺序的信息子空间和三个信息子空间之间的映射构成,评估的过程具有不可逆性。概括介绍了系统的电磁脉冲易损性评估过程,对电磁脉冲易损性评估工作的开展具有参考价值。
其他文献
Intel 80386EX单粒子效应激光模拟实验研究
本文利用实验室从俄罗斯引进的激光模拟单粒子效应试验系统,初步进行了大规模集成电路Intel386EX单片机单粒子效应的地面模拟试验研究,验证了Intel386EX单片机在激光辐照下存
会议
JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探
介绍了二种不同型号的JFET输入运算放大器在不同剂量率辐照下的响应规律和退火特性,及在三种不同加速评估方法中的模拟结果。总剂量实验结果显示:不同于双极类器件,JFET输入
会议
输入
运算放大器
相关效应
损伤特性
评估方法
模拟结果
实验方法
运放
退火特性
双极
器件
混合电路
总剂量
美军标
剂量率
显示
机理
规律
辐照
单粒子锁定及防护技术研究
本文介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究.在模拟试验的基础上,研制成功抗单粒
会议
单粒子锁定
自动探测
试验研究
器件
模拟试验
防护电路
测试方法
原理
特征
基础
触发
重视心血管病流行病学研究工作
期刊
流行病学研究
心血管病
冠心病死亡
冠心病猝死
人群防治
降脂治疗
社区综合干预
血脂异常者
战略论坛
总死亡人数
党的教育方针的胜利——教育、动员高中毕业生参加农业生产的前前后后
一张捷报八月一日下午,我校门口出现了一张振奋人心的巨幅捷报:高三(一)胡勇、高三(三)芮玉珍、高三(八)徐崇福等三位同学勇敢地响应党的号召,决心下乡参加农业生产,在农村
期刊
农业生产
反右派
教育方针
胡勇
校门口
高三
右派分子
真正的人
中使
下午
UFD2结构域在棉花和其他24种植物中的进化分析
UFD2 (ubiquitin fusion degradation-2)结构域是UFD2蛋白序列上一段高度保守的序列,该结构域在植物的UFD2和RKP2类泛素连接酶中都存在,UFD2结构域在植物中普遍存在,但是关于
期刊
UFD2 domain
UFD2
RKP
Evolution
Cotton
80486微处理器单粒子效应辐照试验研究
采用串列静电加速器对国微和Intel生产的80486CPU进行了单粒子效应辐照试验。试验得到国微和Intel生产的80486CPU单粒子锁定阈值约为5.96MeV/mg/cm。国微生产的486单粒子翻转
会议
微处理器
单粒子效应
辐照试验
单粒子翻转
生产
翻转截面
串列静电加速器
定阈值
SRAM六管存储单元单粒子翻转效应二维数值模拟
本文首先建立了重离子入射在单管器件MOSFET漏区时单粒子翻转损伤模型,计算结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。在建立的单管器件模型基础上,采用器件/
会议
存储单元
单粒子翻转效应
模拟计算
器件模型
电荷漏斗模型
静态存储器
物理模型
损伤模型
模拟方式
加固方法
单管
重离子
吻合
基础
电路
星用电子元器件辐射可靠性研究
抗辐射加固设计是可靠性设计的重要内容之一,本文首先提出了抗辐射加固总体优化设计的技术途径,然后引入"辐射可靠性"的概念,阐述了辐射可靠性与器件抗辐射性能之间的量化关
会议
电子元器件
抗辐射加固
抗辐射性能
可靠性设计
总体优化设计
性能指标
设计工作
量化关系
加固设计
技术依据
分配方法
设计师
基础
概念
2K SRAM激光微束单粒子效应实验研究
结合器件版图,通过对2k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得了SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈
会议
与本文相关的学术论文