用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上建立分析器件SEU的可靠手段.对MOSFET漏区模拟得......

本文首先建立了重离子入射在单管器件MOSFET漏区时单粒子翻转损伤模型,计算结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确......

文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转（SEU）电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种电荷收集模式中,浓度梯度引......

采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算.对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表......

本文用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上,建立分析器件SEU(Single Event Upset)的可靠手段.通......