【摘 要】
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太阳电池在光照工作状态下,两极间有一个正向偏压V加在结上,这时在电池内产生光电流I的同时,将产生一个与之方向相反的"暗电流I(V)",则输出到负载上的电流I为I=I—I(V).因此,在一定工作电压下,欲获得最高的转换效率,则首先应获得尽可能高的光电流和尽可能低的暗电流是非常重要的.本文在各区均存在恒定电场及给定的能带模型下,对所设计的新结构MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池的暗电流
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太阳电池在光照工作状态下,两极间有一个正向偏压V加在结上,这时在电池内产生光电流I<,ph>的同时,将产生一个与之方向相反的"暗电流I<,D>(V)",则输出到负载上的电流I为I=I<,ph>—I<,D>(V).因此,在一定工作电压下,欲获得最高的转换效率,则首先应获得尽可能高的光电流和尽可能低的暗电流是非常重要的.本文在各区均存在恒定电场及给定的能带模型下,对所设计的新结构MIp<+>-Al<,x>Ga<,1-x>As/p-n-n<+>-GaAs太阳电池的暗电流进行了严格数学处理,并得到了I<,D>(V)的理论解析表达式.以四种结构的简单太阳电池为特例的讨论结果表明,充分体现出所得到的暗电流理论表达式的正确性和广泛适用性.这些理论研究结果可以为各种结构类型的太阳电池的高效率优化设计提供必要而简单的理论依据.
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应用溶胶-凝胶方法分别在ITO和Ti基底制备了纳米TiO薄膜电极,研究了两种电极在0.5molNaSO溶液中三种不同的光照射下的光电化学行为,Ti基底上的TiO薄膜电极比ITO上的TiO薄膜电极表现出更强的光电化学响应.
用P型微晶硅(Pμc-Si:H)或微晶硅碳薄膜(Pμc-SiC:H)代替非晶硅碳(Pa-SiC:H)作非晶硅薄膜太阳电池的窗口材料,可以显著改善电池TCO/P界面和叠层电池隧道结构的接触特性,提高电池的填充因子和转换效率.本文采用七室连续RF-PECVD系统,通过调节衬底温度及精确控制BH的掺杂量,制备出了电导率达到10S/cm量级,光学带隙大于2.2eV的优质P型微晶硅碳窗口(Pμc-SiC:H
根据国际GB/T 17409-1997《全玻璃真空太阳集热管》中6.1.4,使用的太阳吸收比测试方法是将有选择性吸收涂层的内玻璃管直接放在具有积分球的分光光度计上测量.由于通常的分光光度计都是针对平面样品设计的,用于圆柱形集热管测量的方法在1996年通过了专家评议,但根据多年测试的经验,这种方法必须在特定的情况下才能得到准确的数据,否则数据的可靠性值得考虑.本文主要讲述如何测量中保证数据的可靠性,
本文通过对氢气吸附储存系统充气过程的动态模拟研究,说明了在充气过程中,储罐内温度场及压力场的变化规律,指出在储罐的入口处温度升高的程度最大,同时分析了产生此种现象的原因.最后讨论了充气压力、吸附剂的导热系数对储罐内温度场的影响.
采用Nafion薄膜作模板合成了平均直径为4.0纳米的TiO晶体粒子.利用高分辨电子显微镜(HRTEM)、X-射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光谱仪(UV-VIS),对Nafion中TiO的含量、粒子大小分布、纳米晶体的光谱响应、纳米晶体微观型貌及其结构和TiO粒子形成机理等进行了研究.研究结果表明,Nafion中Ti含量不仅与起始原料有关,还与起始物浓度有关.TiO在Nafion中的形成速度主要
采用先进的红外热成像技术,测定在强光辐照条件下,在不同散热情况的环境中,太阳电池表面的温度分布,再根据环境条件的改变对温度分布的影响,找出在强光条件下的太阳电池最有利散热的方式.
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本文对MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池,在各区域都存在恒定漂移场以及能带结构模型下,对其光电流和光谱响应在理论上进行了严格的数学处理,得到了该电池光电流依赖于太阳电池表面、界面复合速度、各区存在的漂移场、少子扩散长度以及掺杂浓度等半导体参数和各区几何结构参数的解析表达式.从本文得到的新结构的光电流理论表达式可以得到背表面场电池、发射结等四种结构太阳电池的正确表达式.因此,本研究结
系统研究了TiVCr合金中的Cr被Mn部分替代后对合金相结构与储氢性能的影响.XRD分析表明,所有TiVCrMn(x=0,0.15,0.25,0.35,0.45)合金均为b.c.c.结构的单一固溶体相,而晶胞常数有所不同.储氢性能测试结果表明,添加Mn元素会降低合金的活化性能;随着Mn含量的增加,合金的放氢压力平台变得平坦,且平台氢压逐渐降低;含Mn合金的室温最大吸氢量基本相同,而100℃有效放氢