拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的光学性质研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lyhmj
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目前利用输运和线性光学的技术手段,对Bi1-xSbx,Bi2Se3 等拓扑绝缘体材料的表面界面的对称性和电子性质已得到了充分的研究,但这些技术手段缺乏表面特异性.非线性光学测量作为一种独特的表面表征技术,可以用于表征材料的表面界面性质.本实验利用二次谐波技术研究不同厚度的Bi2Se3 薄膜样品及不同硒配比的单晶材料样品的非线性光学性质.
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