【摘 要】
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利用化学气相沉积技术(CVD)在quartz glass templates/Al-ZnO film 透明玻璃衬底上分别制备出ZnO 和掺杂的ZnO 一维纳米阵列结构,并尝试将Al 掺杂的ZnO 纳米阵列应用到新型氧化物太阳能电池中,研制出quartz glass templates/Al-ZnOfilm/nanostructuredAl-ZnO/CdSe/Cu2O 结构太阳能电池器件,实现了标准
【出 处】
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2015年第二届海峡两岸电子电镀及表面处理学术交流会
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利用化学气相沉积技术(CVD)在quartz glass templates/Al-ZnO film 透明玻璃衬底上分别制备出ZnO 和掺杂的ZnO 一维纳米阵列结构,并尝试将Al 掺杂的ZnO 纳米阵列应用到新型氧化物太阳能电池中,研制出quartz glass templates/Al-ZnOfilm/nanostructuredAl-ZnO/CdSe/Cu2O 结构太阳能电池器件,实现了标准测试条件下(AM1.5标准阳光光谱,总辐照度为1000 w/m2,温度为25℃),光电转化效率为3.16 ％,其短路电流为11.09 mA/cm2,开路电压为0.67 V.
其他文献
Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN)ceramics with the BaO-B2O3-SiO2(BBS)glasses have been successfully produced for high energy-storage density capacitor applications.
研究了NbxZr(100-x)/2Ni(100-x)/2(x=0...50)合金的相构成、显微组织、渗氢性能及氢脆现象，并与贵金属Pd的渗氢性能进行比较.
The [Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5)1-xLaxTi1-yZryO3(BNKLZT)energy storage ceramics were prepared by conventional solid-state reaction method.
本文通过酸蚀铝硅合金粉制备硅纳米颗粒，并与石墨烯复合制备可自支撑柔性硅/石墨烯复合薄膜负极。 利用XRD、SEM、TEM、XPS等多种表征于段对制备过程产物及复合薄膜的形貌与结构进行分析。
Internal alternating current (AC) preheating is considered as an effective preheating method to use or charge lithium batteries at low temperatures.
三元正极材料具有较高的能量密度,但其循环性能和倍率性能较差.为了克服其不足,采用醇盐水解预包覆及单步烧结的方法,合成了不同比例电子导体LiTiO2及快离子导体Li2ZrO3包覆的LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2正极材料,材料的循环和倍率性能以及高温性能均有了较大的提高.
Remarkable hydrogen evolution reaction(HER) or superioroxygen evolution reaction(OER)catalyst has been applied in water splitting,however,utilizing a bifunctional catalyst for simultaneously generatin
为了适应电子产品更轻、更小、更薄、可靠性更高的要求，就必须有新的技术来替代3D封装中芯片与芯片之间的打线连接的方式.硅通孔技术是实现三维WLP(晶圆级封装)和3D集成的一种可能性办法.TSV技术是使用硅通孔方式将芯片之间连接的一种新技术.通过TSV的连接将芯片连接长度缩短到芯片厚度，使逻辑模块变成垂直堆叠，近而显著缩短模块之间的互连线长度.
在均匀分散有CeO2超细纳米颗粒的光亮镍电镀溶液中制备了Ni-CeO2纳米复合涂层,通过改变加入镀液中CeO2纳米粉的浓度(CeO2浓度为x=0–20g/L)来研究CeO2浓度对纳米复合涂层性能的影响.采用TEM分析了镀液中纳米颗粒的分散情况,采用SEM,XRD,显微硬度与摩擦试验研究了镀层的微观结构与机械特性.研究表明,随着涂层中CeO2纳米颗粒浓度的增加,涂层中镍的晶粒尺寸减小,涂层的力学性能
在光亮镍电镀溶液中制备了Ni-PTFE复合涂层，通过改变加入镀液中PTFE乳液含量(PTFE浓度为x=0–15ml/L)来研究PTFE含量对复合镀层性能的影响。通过SEM和XRD分析表面形貌与微观结构，结合显微硬度与摩擦试验探讨PTFE浓度对镀层的硬度、摩擦因素、磨损率等性能的影响，研究表明，随着镀层中PTFE浓度的增加，镀层显微硬度略微逐渐减小，镀层的摩擦因数与磨损量明显减小。对PTFE影响镀层