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高介电常数氧化铪材料在双极型阻变式存储器中的应用研究
高介电常数氧化铪材料在双极型阻变式存储器中的应用研究
来源 :湖北省物理学会、武汉物理学会2013年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Sqiwei
【摘 要】
:
论文主要研究氧化铅材料应用于双极型存储器中存在的问题,即如何在确保读写速度、可擦写次数、数据保存时间等存储性能同时,获得“低功耗”的存储器件单元,从而满足CMOS集成电路
【作 者】
:
詹超
叶葱
张洁琼
邓腾飞
【机 构】
:
湖北大学物理学与电子技术学院湖北省430062
【出 处】
:
湖北省物理学会、武汉物理学会2013年学术年会
【发表日期】
:
2013年8期
【关键词】
:
阻变式随机存储器
氧化铪材料
高介电常数
制备工艺
电学性能
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论文主要研究氧化铅材料应用于双极型存储器中存在的问题,即如何在确保读写速度、可擦写次数、数据保存时间等存储性能同时,获得“低功耗”的存储器件单元,从而满足CMOS集成电路高密度存储的发展需求。
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