论文部分内容阅读
本文分别在氢气、氮气和氧气氛下对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱的变化.结果发现退火后氮化硅薄膜变得致密,折射率升高,抗高氧化性能提高,并且退火时间长短对这些性能的变化没有影响.
快速热处理对氮化硅薄膜影响的研究
【摘 要】
：
本文分别在氢气、氮气和氧气氛下对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱的变化.结果发现退火后氮化硅薄膜变得致密,折射率升高,抗高氧化性能提高,并且退火时间长短对这些性能的变化没有影响.
【机 构】
：
河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 北京市太阳能研究所,北京,100083
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年1期
其他文献
本文考虑了基区扩展效应、准饱和效应、速度饱和效应、自热效应、厄利效应、大注入效应以及发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,在得出HBT正、反向工作电流解析模型的基础上,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析.
本文采用磁控射频溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围
本文利用碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光,并对蓝宝石衬底化学机械抛光(简称CMP)的机理及其理论模型进行了深入的研究,完善了蓝宝石CMP抛光速率的半经验公式.根据实验数据,就温度、压力及pH值对CMP抛光速率的影响进行了详细的讨论,得出了这些参数对蓝宝石衬底CMP过程及加工表面质量的影响趋势.
本文介绍用正交试验方法确定二氧化硅干法刻蚀工艺菜单.还介绍了用该工艺菜单进行刻蚀可得到良好的片内均匀性、片间均匀性及批间重复性.
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观测样品的腐蚀形貌,研究了腐蚀时间、腐蚀液温度与浓度对腐蚀形貌的影响.化学腐蚀可显示GaN中位错的传播情况且腐蚀坑密度与样品晶体质量存在对应关系
本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/N+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单,性能优良的优点.
本文介绍了硫系化合物随机存储器的原理、研究现状、特点及其在军事与航空航天领域的应用前景.硫系化合物随机存储器具有抗辐射、耐高低温、抗电子干扰、抗震动、高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和与半导体工艺兼容性好等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品,必将在消费性电子产品芯片市场和军事及航空航天领域大显身手.
本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移区长度为20μm时,采用二阶掺杂漂移区可以实现击穿电压和导通电阻的良好折衷.和相同结构的均匀掺杂漂移区相比,击穿电压可由160V提高到250V,提高幅度为36﹪,而导通电阻则由1.9Ωmm2降低到1.6Ωmm2,降低幅度为16﹪.
本文对金属诱导单一方向横向晶化(MIUC)与不同能量脉冲的三倍频固体激光退火技术结合,提高多晶硅薄膜晶体管性能,进行了深入的探讨和研究.该薄膜晶体管在优化的激光能量下退火,可以使得场效应迁移率增加近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与激光退火条件密切相关,并成规律性变化.
本文深入研究了亚30纳米CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术-Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90纳米PMOS空穴有效迁移率在低场下提高32﹪.