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本文基于目前SiC外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,针对单极型SiC功率器件,对漂移区与耐压及比导通电阻的相互关系进行了分析.在此基础上,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件最优漂移区解析模型.并进一步基于耐压对外延层厚度和掺杂浓度的依赖关系对模型作了改进.依据该解析模型的计算表明,对于不同耐压等级,最优漂移区厚度大致以0.9μm每100V的速度随电压等级的增加而增加。