在超微距铜柱集成电路封装技术上，传统的蚀刻及阻光层剥离制程中，正在面临着不断增长的严峻要求。为了维持集成电路的供能性和可靠性，集成电路封装制程需要历更可行性的解决办法，以增强清洁性能、材料的兼容性及对不同金属腐蚀的选择性。在光刻法之后，于ECD铜沉积形成之前，需要采取独特的处理方法以减少表面的残留物。随着集成电路的复杂性不停增加，可预见合适的湿流程清洁方法将会有更好的优势，因为它可以提供更佳的清洁性能力以及拥有更低的成本.除此之外，沉积层表面清洁度的管控，将会成为封装用铜柱晶体的均匀性的一个关键的参数。良好的籽铜层蚀刻剂需要有多种特性，包括控制降低铜柱侧壁的腐蚀，防止敏感性金属间化合物的腐蚀，避免焊帽(锡，锡/银)的电化学腐蚀，同时可以选择性去除籽铜层(100-1000nm)，不产生大量的缺口出现。在籽铜层去除经过严格检查后，以钛为基础的阻隔材料(钛，氮化钛和钨化钛)在铜柱结构上形成，随后再去除。最近对于无氟电镀液的调查证实，带有较高的堆积物兼容性(铝，铜，锡，锡银，镍等)的可选择性去除钛和氮化钛及实现更佳的工艺管控。