【摘 要】
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本文针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60和200μm.沸腾介质的过冷度设为10、25和35K.实验所得的沸腾曲线表明,对于这两种微结构表面芯片,随着壁面过热度的增加,热流量呈剧烈的增加趋势且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的
【机 构】
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西安交通大学动力工程多相流国家重点实验室,西安,710049 北京宇航系统工程研究所,北京,100
【出 处】
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2006中国工程热物理学会多相流学术会议
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本文针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60和200μm.沸腾介质的过冷度设为10、25和35K.实验所得的沸腾曲线表明,对于这两种微结构表面芯片,随着壁面过热度的增加,热流量呈剧烈的增加趋势且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但是,自然循环回路系统内的临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低.
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