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用TC-136型仪测定氮化硅中氮及氧
【机 构】
:
冶金部钢铁研究总院
【出 处】
:
中国金属学会全国气体分析学术报告会
【发表日期】
:
1988年期
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利用透射电镜分析了采用LPCVD法生长的SiN〈,X〉膜的微观结构与薄膜应力之间的关系,首次报导了利用LPCVD方法生长的SiN〈,X〉膜中存在着微观的取向结构,并通过SiN〈,X〉的背腐蚀结果确定该结构与SiN〈,X〉膜的