基于聚乙烯咔唑的D-A型高分子信息存储材料的设计和制备

来源 :2012年全国高分子材料科学与工程研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:goer
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  本文根据咔唑分子的电子供给和空穴传输能力,偶氮基团的电子捕捉特性以及氰基、硝基的电子吸引能力,设计合成了侧链带有给体-势阱-受体电子推-拉结构的非共扼聚乙烯咔唑-偶氮衍生物PVK-AZO-NO2和PVK-AZO-2CN),通过偶氮电荷势阱在侧链三体结构中的引入以及对侧链末端电子受体单元的操纵,实现了具有长期稳定性和高开关比的非暂态存储器件的设计制备。结果表明:基于这两种材料的器件的J-V(电流密度-电压)特征曲线均呈现出良好的电双稳态特性和WORM型(一次写入多次读出型)存储性能,开启电压约为-1.9V,开关比大于105。作为对照的聚合物PVK-NO2和PVK-CN没有表现出任何存储性能。
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本工作通过溶液法制备了PEGTA共混物,并采用多种手段研究了共混物的相容性以及TA对PEC结晶行为的影响规律。经过研究发现,TA的加入阻碍了PEC的结晶。进一步以POM为手段研究了TA对PEC结晶形态的影响,发现随着TA含量的增加,PEC的球晶生长速率降低,表明TA阻碍了PEC的结晶。以WXRD为手段研究了TA对PEC结晶结构的影响,发现在相同的结晶温度下,纯组分及其共混物WARD峰形不变,说明T
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在前期的超细全硫化粉末羧基丁苯橡胶(UFPCSBR)/纳米白炭黑(SiO2)复合粉末(6/5,wt/wt)改性胎面胶的研究基础上,本文设计、制备了不同比例含量的其它两种UFPCSBR/SiO2纳米复合粉末,探讨了UFPCSBR/SiO2纳米复合粉末的组成、微观形态对SiO2颗粒分散的影响.SEM照片表明,在UFPCSBR/SiO2(3/1,wt/wt)纳米复合粉末中,SiO2颗粒能够良好分散在UF
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本工作通过一种简易方法即采用熔融反应挤出法制备了一系列具有双连续结构的LLDPE/PA6共混物,其中PA6组份为低含量。双连续结构的形成是由于在熔融共混过程中界面处形成高分子量和低分子量主干链的接枝共聚物,其中高分子量主干链LLDPE的接枝共聚物CopolymerⅠ起到了增强界面、支持应力传递和促进PA6分散;而低分子量主干链PB的接枝共聚物CopolymerⅡ支持LLDPE和PA6之间形成平坦界
本文将氧化石墨烯(GO)依次与二苯基甲烷二异氰酸酯(MDI、硬脂酸(HSt)反应制备了改性氧化石墨烯(mG0),提高其与聚丙烯(iPP)的相容性,降低团聚作用;并熔融共混制备了iPP/mGO复合材料,分析了该复合材料的结构与性能。通过研究表明,GO通过化学改性制备的mGO,具有更好的热稳定性,与iPP相互作用较强,在iPP基体里分散较均匀;所制备的复合材料具有更好的热稳定性和力学性能。
本论文主要针对熔融接枝改性法接枝率较低的难题,提出以具有生物相容性的N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)单体为接枝促进剂,可将聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯(PEGMA), GMA等单体对氢化苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)的接枝率提高5倍以上。
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