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本文采用热壁固定床反应器,三氯甲基硅烷-氢气为气源,研究了碳化硅材料的化学气相沉积过程,发现氢气对沉积速率有重要的影响。增加氢气浓度促进了低温段游离Si的形成,使游离Si可以在更长的停留时间内以及更宽的温度范围内沉积。在高温段,氢气同样可以促进SiC的沉积,使得SiC也可以在更宽的温度范围和更短的停留时间内沉积。