【摘 要】
：
随着半导体技术的飞速发展,传统的SiO2无法克服由MOSFET器件特征尺寸的不断缩小所带来的量子隧穿效应的影响,从而极大地制约了微电子器件集成度的提高.因此寻找新一代MOSFET
【机 构】
：
南京航空航天大学,理学院,江苏,南京,210016
论文部分内容阅读
随着半导体技术的飞速发展,传统的SiO2无法克服由MOSFET器件特征尺寸的不断缩小所带来的量子隧穿效应的影响,从而极大地制约了微电子器件集成度的提高.因此寻找新一代MOSFET栅极电介质材料来取代SiO2已经成为人们研究的热门课题.文章总结了新型high-k材料所需满足的性能要求,介绍了近年主要high-k材料的研究成果,并综述了新一代MOSFET栅极电介质薄膜材料LaAlO3的研究进展。
其他文献
以无水氯化镍、氯化钴、乙醇和正丁醇为前驱液,加入适量的柠檬酸为稳定剂,通过回流、水解得到稳定的溶胶;采用浸渍-提拉的方法在ITO导电玻璃上制成均匀的膜层;分析了柠檬酸加
很多因素可以导致无线网络的故障,但是总体来说,主要分为两类:硬件故障和配置故障。硬件设备的损坏可以引发无线网络故障,同时如果相关协议或者软件配置错误也会导致无线网络
将粒状纳米氧化锌粉体,均匀涂敷在氧化铝陶瓷基质上,低温烧结(300℃,2h)后,获得由氧化锌颗粒组成的膜层结构.SEM研究表明,膜层中的氧化锌颗粒在低温烧结时,通过物质迁移形成
以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法,经旋转涂胶、老化和超临界工艺制备了表面均匀的纳米多孔SiO2薄膜.讨论了在旋转涂胶过程中影响薄膜性能的主要因素.研究表明,通过
采用真空熔炼的方法制备了Cu-Cr和CuAg-Cr合金,通过显微硬度测试、电导率测试、透射电镜分析等方法,对这两种合金的时效性能进行了研究,并探讨了Ag对Cu-Cr合金时效性能的影响
用溶胶-凝胶法制备了Ba1-xLaxTiO3(x=0.2,0.4,0.6,0.8﹪(摩尔分数))陶瓷,用x射线衍射、正电子淹没、阻抗分析仪对目标产物进行分析测试.结果表明:La3+掺杂的BaTiO3陶瓷具有钙太
以BN和Al为原料,采用原位热压烧结工艺、在无烧结助剂的条件下制备了不同A1含量的AlN-BN复合陶瓷材料,研究了原料配比对微观结构及性能的影响.结果表明:随着原料中Al/BN(摩尔
近年来,民间借贷呈现出不断膨胀的趋势,逐渐发展成为农村地区资金融通的主要渠道之一。它在缓解资金紧缺、促进农村经济发展的同时,也显现出一定的危害性。因此,如何规范农村
1 临床资料患者男性,33岁,歼-8飞行员,飞行总时间1100 h。该飞行员2003年8月初无明显诱因间断性发热、头痛,按上呼吸道感染在队治疗2周无效且出现消瘦、饮食增加和体重下降
采用X射线衍射和扫描电子显微镜等方法研究了施主(Y2O3和La2O3)掺杂的时机对BaTiO3基PTCR材料的组织和电性能的影响.研究结果表明:选择不同的施主掺杂时机对BaTiO3基PTCR材料